本文標題："高速微電子元件材料的特點-具有高的導熱"

發布者：yiyi ------ 分類: 行業動態 ------ 人瀏覽過-----時間：2013-6-18 5:27:40

高速微電子元件材料的特點-具有高的導熱

隨著半導體高介電材之發展其應用于MOS FET之閘極薄介電層

越越受重視，氮化鋁

AlN高介電半導體材具有高能隙的特點且結構穩定具有高的導熱，

因此可應用于高速微電子元件之應用，此外由于

氮化鋁對紫外光具有高穿透性因此也有潛可應用于制作紫外光波段

之光偵測器元件，本研究用準分子射濺鍍

AlN薄膜于Si基板上完成一

Al/AlN/Si MIS元件之制作，并研究其光電特性。

本文將介紹準分子射濺鍍

AlN薄膜之基本原及其沉積條件射能對

AlN薄膜表面粗糙之影響，以及用IV 及CV測分析

Al/AlN/Si MIS元件介面之性質，以及其對波長光響應的影響，作為未

發展以Si為基礎之紫外光光偵測元件之考

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