本文標題："再結晶溫度和這種類型過飽和固溶體成份的關系"

再結晶溫度和這種類型過飽和固溶體成份的關系
 
    1．析出物與單個位錯及位錯群發生相互作用。首先，這個
情況與共格析出物有關，此析出物抑制再結晶晶核形成的最早期
階段，也即最有效地起作用。    、
    在只發生分解的最早期階段，獲得了明顯的類似結果，導致在
每錯和位錯堆積上形成析出物和溶質原子的偏聚．
    2．析出物沉淀在小角界面上。在這種情況下，析出物減緩
亞晶粒的生長。也即阻礙再結晶晶核形成的最后階段。通常，非
共格或部分共格的析出物沉淀在亞晶界上，正如在大角晶界上析
出一樣。但由于小角界面能低于大角晶界能，因而對小角界面的
阻礙作用是較大的。 
    3．析出物擇優沉淀在大角晶界上．在這種情況下，輕度變
形后加熱時，靠原始晶界移動的再結晶受阻。
    在大變形之后加熱時，再結晶晶核生長受阻礙(即這種阻礙
在一次再結晶結束和晶粒開始長大時起作用)。這意味著，一次
再結晶的兩個階段——形核和長大——在單相合金中接連發生而
不中斷。但在過飽和固溶體中，則被大的溫度一時間區間所分開。
用普通方法所觀察的，再結晶的開始實質上是晶核強烈長大的開
始。
    因此，再結晶溫度和這種類型過飽和固溶體成份的關系可用
兩條曲線表示。其中較低的一條相當于晶核形成的溫度，較高的
一條相當于這些晶核開始生長的溫度。

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