本文標題："應用于晶粒平均尺寸測定分析專業圖像顯微鏡廠商"

應用于晶粒平均尺寸測定分析專業圖像顯微鏡廠商

快速熱退火
一般退火處里是利用熱能將材料內應力缺陷消除，或使材料內雜質產生擴
散作用；材料晶格內的原子及缺陷在受到外加能量作用后，會產生振動及擴散，迫
使原子排列重新組合，進行再結晶。當退火溫度較低時，熱能量僅能提供晶格內的
原子運動及缺陷重新分布達一穩定態，無法對晶體結構產生任何變化，此階段稱為
復原。當熱能使材料內的缺陷因原子重新排列而降低，進而產生無差排的晶粒時
稱為再結晶過程。當退火溫度繼續提升，再結晶過程所形成的晶粒就具有足夠的能
量克服晶粒間的表面，晶粒即開始消耗并吞小晶粒而成長成較大的晶粒，此階段稱
為晶粒成長。
快速熱退火（Rapid Thermal Annealing RTA）處理過程包含三階段：升溫階段、
穩定階段和冷卻階段，升溫過程中，單位時間內溫度變化量的大小，亦即升溫速率，
將影響材料晶粒形成大小，在穩定階段和冷卻階段，時間的長短都將對材料內應力
型態造成影響

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