本文標題："IC封裝制程焊接點顯微結(jié)構(gòu)檢測金相顯微鏡"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類: 行業(yè)動態(tài) ------
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電子構(gòu)裝金線接點破壞機構(gòu)及顯微組織分析
Au wire是許多傳統(tǒng)IC封裝制程中，用來連結(jié)chip與lead frame的橋樑。因應IC在使用過程中訊號電流的輸入輸出，
造成IC的局部過熱，因此對于高溫時效過程中，Au wire與Al pad接合微接點的可靠度研究是非常重要的。
不同的wire bond參數(shù)會造成高溫時效后，Au-Al微接點morphology的不同。
良好的wire bond條件應該是Au wire與Al pad的有效接合面積既平整且殘留的passive region愈少。
良好的wire bond條件會使Au wire與Al pad接合之微接點在高溫時效過程陸續(xù)產(chǎn)生數(shù)種介金屬化合物的消長。
探討這些介金屬反應層的消長機制將有助于了解微接點在時效過程的破壞機制。
此次研究將著重于三種不同成份的Au wire與Al pad接合后，在高溫時效所產(chǎn)生的介金屬反應層成長機制做逐步分析探討，這三種wire為pure Au wire、添加微量Pd元素的Au wire及添加微量Cu元素的Au wire。
另外研究過程中，因部份參數(shù)的不同，也會造成一些不同的Au-Al微接點morphology行為，如不同的封裝樹脂，或是在Au wire中添加不同雜質(zhì)含量，或是改變Al pad厚度…等等。
為了改善金鋁微接點的可靠度，了解不同合金的物理及擴散成長行為，將有助于對此次研究的探討，
以提昇產(chǎn)品在市場上的信賴。
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