本文標題："掃描電容顯微鏡觀察摻雜元素影像的動態觀察"

發布者：yiyi ------ 分類: 行業動態 ------ 人瀏覽過-----時間：2013-3-9 5:51:2

掃描電容顯微鏡觀察摻雜元素影像的動態觀察

掃描電容顯微鏡

半導體的元件運作及電性可以經由不同的摻雜濃度及自由載子的分佈來控制，

被用來分析摻雜元素或載子的一維空間分佈及濃度變化。

以往，制程發展工程師可利用一維擴散模型，以模擬計算尋求最佳化的制程條件。

但隨著半導體元件深次微米化的進展，閘極通道變得越來越小，汲極與源極區域之摻雜元素的側向擴散效應，

將強烈影響閘極通道內摻雜元素的分佈與濃度變化，因此，如何取得多維空間的摻雜元素或載子濃度影像的動態觀察與分析，

將是制程發展工程師建立準確深次微米制程模擬模型的重要關鍵

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