本文標題："陶瓷化合物真空涂層過程分類材料研究顯微鏡"
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陶瓷化合物真空涂層過程分類材料研究顯微鏡
真空涂層過程分類
最流行和最容易被采用的淀積方法是基于蒸汽轉化以及其他更多的，特別是
物理(PVD)和化學淀積(CVD)。在后兩種方法，尤其是前者，是多參數和較
靈敏的方法，因而需要嚴格的監測和控制。因此在本章，物理淀積(PVD)和化學
淀積(CVD)所需的傳感器被提出來。是對淀積方法一個粗
糙的分類，考慮到相應的設備制造商的設計原理，它還可以進一步細分。
PVD方法是從物體中得到金屬離子，形成等離子環境，使它們與氣體反應，
從而形成陶瓷化合物，并在稱為襯底的產品表面淀積。因此淀積的種類是原子、
分子或其化合物。淀積受濃度的影響，放出熱量，并且使等離子體廣泛應用。淀
積是在一個高真空室中操作，淀積的溫度從150～500℃之間變化。PVD方
法非常靈活，提供許多的單一和多層涂層(結構的或成分的)，包含淀積具有物
理、化學和電學性能等應用范圍廣泛的薄膜。
在典型的CVD過程中，反應氣體在室溫條件下進入密封反應容器，當氣體
混合物接近被熱輻射，或放置在一個加熱襯底上的淀積表面時，氣體混合物被加
熱。CVD方法是在大于850℃的較高的溫度下進行。依靠過程和操作條件，反
應氣體在蒸汽狀態下，在接近表面之前，經過均勻的化學反應。在表面熱流附
近，當氣流變熱，由于黏滯力變慢，并且化學成分發生變化時，形成動量和化學
濃度邊界層。原始氣體的不同反應或活性中間體由高溫分解形成，淀積材料淀積
在表面上。然后，氣體反應后的副產品傳輸出反應室。CVD方法的傳統應用，
例如，涂層刀具的生產，正在被日益增多的PVD方法所代替，這是因為PVD
的靈活性和低的淀積溫度。
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